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準(zhǔn)分子激光器指標(biāo)：
介質(zhì)氣體 | ArF | KrF | XeCl |
波長(nm) | 193 | 248 | 308 |
最大單脈沖能量(mJ) | 10 | 15 | 10 |
平均功率(W) | 1.6 | 2.4 | 1.6 |
最大重復(fù)頻率 (Hz) | 200 | ||
脈沖寬度 (ns)(FWHM） | ～15 | ||
能量穩(wěn)定性(sigma) | 2% | ||
光斑尺寸(mm)(V×H,nominal) | 6×3 | ||
發(fā)散角(mrad)(V×H,nominal) | ～3×1.5 | ||
193nm 光刻光源優(yōu)勢
為什么工業(yè)界一直用193nm光源做光刻，不是說光刻光源波長越短分辨率越高么？
193nm光刻機(jī)依然是主流。
理論上來講光刻分辨率R=K（波長λ/光學(xué)數(shù)值孔徑NA）波長越小分辨率越好。
一種EUV的波長理論上可以低到13nm，這可比193nm小多啦。但是EUV的電源有足球場那么大，做芯片的車間要用這么大的空間難度很大。
另一種X-ray不能實(shí)時(shí)監(jiān)控，做完直接看效果。對于高精尖的芯片來說實(shí)時(shí)操作對員工身體的損害顯而易見。
目前在193nm上進(jìn)一步應(yīng)用的辦法有：
多層重疊技術(shù)，實(shí)際R=分辨率R1/層數(shù)N。
增加光折射率。把光刻環(huán)節(jié)放到磷酸溶液中，比原來的空氣中分辨率提高1.54倍。
下一步是EUV勝出還是193nm有了更進(jìn)一步的分辨率提高？
期待。。。。。。
公司主要產(chǎn)品：液晶修復(fù)激光器及系統(tǒng)，1um精細(xì)激光剝蝕系統(tǒng)，自動對焦激光系統(tǒng)，準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)，OPO激光器，PIV激光器。
755nm，694.3nm，532nm，激光器
425nm，355nm，308nm，激光器
266nm，213nm，193nm，激光器
Welcome to discuss Laser design and Laser maitenance
公司對外承接激光器訂制，手動系統(tǒng)的自動化改造，維修準(zhǔn)分子激光器，ATL準(zhǔn)分子激光器維修，coherent準(zhǔn)分子激光器維修。
